Un micro-onduleur embarquant des transistors GaN aux performances prometteuses
Par un écrivain mystérieux
Description
Le CEA à l’INES a réalisé un 1er prototype de micro-onduleur photovoltaïque de 400W constitué de transistors GaN réalisés par les laboratoires CEA du
Micro-onduleur Triphasé APS QT2
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par adulte (le prix varie selon la taille du groupe)